大功率白光LED珠宝照明可分为单芯片型与多芯片型两种：一种是同时点亮RGB三基色LED珠宝照明产 生白光；另一种是利用蓝光或是紫外光LED珠宝照明作为激发光源，激发荧光体获得白光。除此之 外，单芯片型最新技术动向是改变活性层的性质，利用单纯的半导体产生RGB三色光，进而获得白光效果。

多芯片型因各颜色LED珠宝照明的驱动电压、发光功率、配光特性的差异，从而温度特性、组 件寿命等还存在许多问题有待解决。单芯片型因为组件种类单纯，因此具有驱动电路设计容易等优点。

(1)单芯片

①
   InGaN-LED珠宝照明(蓝）/YAG荧光粉。这是一种目前较为成熟的产品，其中1W的和5W 的白光LED珠宝照明已有批量产品。这些产品采用芯片倒装结构，提篼发光效率和散热效果。荧光粉涂覆工艺的改进，可将色均匀性提高10倍。实验证明，电流和温度的增加使LED珠宝照明光谱有些蓝移和红移，但对荧光光谱影响并不大。寿命实验结果也较好，白光LED珠宝照明在工作20000h后，光输出下降80%,而这种功率白光LED珠宝照明在工作20000h后，仅下降10%，估 计工作50000h后下降30%。这种功率型白光LED珠宝照明最高效率达到44. 31m/W,最高珠宝照明天花灯光通量为1871m,产业化产品可达1201m,Ra为75?80。

②InGaN(蓝）/红荧光粉+绿荧光粉。

LimiiLED珠宝照明s公司采用460nm的LED珠宝照明配以SrGa2S4:EV2 + (绿色）和SrS:EV2 + (红色）荧光粉，色温可达到3000 ~ 6000K，Ra达到82~87,较前述产品有所提高。

③InGaN(紫外)/(红+绿+蓝）荧光粉。

目前，日亚、丰田等公司均在大力研制紫外 LED珠宝照明, Cree公司已生产出50mW、385?405nm的紫外LED珠宝照明;丰田已生产此类白光LED珠宝照明，但发光效率还不够理想；日亚于最近制得365mn、1mm2、4.6V、500mA的高功率 紫外LED珠宝照明,如制成白色LED珠宝照明，会有较好的效果。

(2)双芯片

可由蓝LED珠宝照明 +黄LED珠宝照明、蓝LED珠宝照明 +黄绿LED珠宝照明以及蓝绿LED珠宝照明 +黄LED珠宝照明制成白光LED珠宝照明,此种器件成本比较便宜，但由于是两种颜色LED珠宝照明形成的白光，显色性较差，只能在显色性要求 不高的场合使用。

(3)三芯片（蓝色+绿色+红色）LED珠宝照明

Philips公司用470nm、540nm和610nm的LED珠宝照明芯片制成>80的白光LED珠宝照明,色温可达 3500Ko如用470nm、525nm和635nm的LED珠宝照明芯片，则缺少黄色调,Ra只能达到20或30，采用波长补偿和光通S反馈方法可使色移动减小。